65/45纳米芯片DFM仿真平台

　　基于SMIC 65/45纳米铜互连ECP/CMP工艺模型及DFM设计规则，EDA中心研发团队提出了一套兼顾平坦化效果和寄生效应，完整兼容业界主流EDA工具的DFM解决方案： DFM平台是具有版图快速读取、参数提取，ECP/CMP工艺模拟、光刻模拟、热点输出与反标等功能的DFM优化技术，通过对版图进行CMP分析和检查，找出存在热点的区域进行Dummy填充，再利用寄生参数提取工具评估寄生效应，并根据设计需求进行修正，形成CMP模拟与参数提取相结合的DFM流程；DFM平台已通过上海SMIC、中科院声学所及中科院EDA中心严格的测试与验证，各项指标均达到工业界使用标准，得到了用户的高度评价；突破了业内难以解决的复杂超大版图快速并行处理的技术难题，可以满足65/45纳米全芯片规模处理的要求，达到世界领先水平，平台模拟精确度不逊于主流EDA商用工具；DFM平台可以集成国内或行业内第三方研究成果，模拟输出结果能够与业内主流寄生参数提取工具无缝连接，用于准确提取寄生参数，提高时序的收敛性。