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国家科学技术奖励大会于2017年1月9日上午在北京人民大会堂隆重举行。微电子所独立完成的“氧化物阻变存储器机理与性能调控”项目获得2016年国家自然科学二等奖。 “氧化物阻变存储器机理与性能调控”项目主要完成人为刘明、刘琦、管伟华、龙世兵、王艳。高性能存储是信息技术的基础,本项目针对新型氧化物阻变存储技术中的基础科学问题开展了系统研究,主要科学发现包括在纳米尺度揭示了阻变机理、发现了功能层掺杂调控存储性能的规律、提出了局域电场增强...
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《芯天地》2016年第5期
  目 录   □ 特别报道   1.微电子所与四川省资阳市人民政府签署战略合作协议   2.中国...
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