中国科学院微电子研究所拟参与长江存储科技有限责任公司申请“高密度高性能三维闪存芯片全产业链关键技术”项目申报国家科学技术奖励-科学技术进步奖特等奖或一等奖。特进行公示,公示材料附后。公示期:2025年06月20日-2025年06月24日。公示期内如对公示内容有异议,请您向科技处、纪监审办公室反应。
以单位名义提出的异议,应在异议材料上加盖单位公章,签署法定代表人姓名,并写明联系人地址、电话和电子信箱。以个人名义提出的异议,应在异议材料上签署真实姓名,并写明本人工作单位、联系地址、电话和电子信箱。
联系人及联系电话:唐璇/耿旖,电话:82995852/ 82995885,邮箱:tangxuan@ime.ac.cn/gengyi@ime.ac.cn。
科技处
2026年06月20日
科技进步奖
项目名称: 高密度高性能三维闪存芯片全产业链关键技术
拟提名者: 中国电子学会
完成人: 霍宗亮(1)、刘明(2)、陈南翔(3)、杨士宁(4)、刘胜(5)、陈俊(6)、蔡一茂(7)、尹志尧(8)、赵晋荣(9)、程卫华(10)、潘立阳(11)、夏志良(12)、张兴(13)、周文斌(14)、侯春源(15)、王兴晟(16)、靳磊(17)、陈鲁(18)、冯耀斌(19)、吕光泉(20)、付祥(21)、华子群(22)、王晓峰(23)、刘威(24)、高晶(25)、王坚(26)、魏华征(27)、荆建芬(28)、朱顺全(29)、江宁(30)、王溯(31)、顾立勋(32)、肖楠(33)、王颀(34)、周文犀(35)、刘敏(36)、李广(37)、严利均(38)、李晶(39)、曾明(40)、杨永刚(41)、轩攀登(42)、蒋阳波(43)
完成单位: 长江存储科技有限责任公司、中国科学院微电子研究所、北京大学、华中科技大学、清华大学、武汉大学、北京北方华创微电子装备有限公司、中微半导体设备(上海)股份有限公司、拓荆科技股份有限公司、深圳中科飞测科技股份有限公司、成都莱普科技股份有限公司、盛美半导体设备(上海)股份有限公司、安集微电子科技(上海)股份有限公司、湖北鼎龙控股股份有限公司、上海新阳半导体材料股份有限公司、厦门恒坤新材料科技股份有限公司
知识产权和标准规范等目录:
知识产权(标准) 类别 |
知识产权(标准) 具体名称 |
国家 (地区) |
授权号 (标准编号) |
授权(标准发布)日期 |
证书编号 |
权利人(标准起草单位) |
发明人(标准起草人) |
发明专利(标准)有效状态 |
发明专利 |
三维半导体器件及其制造方法 |
中国 |
CN104022121B |
2017/5/3 |
2475562 |
中国科学院微电子研究所 |
霍宗亮 |
有效 |
发明专利 |
Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same |
美国 |
US9437609B2 |
2016/9/6 |
US9437609B2 |
中国科学院微电子研究所 |
霍宗亮、刘明 |
有效 |
综合信息