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中国科学院EDA中心
 
 
 
 
 
   

 

65/45纳米芯片DFM仿真平台
  基于SMIC 65/45纳米铜互连ECP/CMP工艺模型及DFM设计规则,EDA中心研发团队提出了一套兼顾平坦化效果和寄生效应,完整兼容业界主流EDA工具的DFM解决方案: DFM平台是具有版图快速读取、参数提取,ECP/CMP工艺模拟、光刻模拟、热点输出与反标等功能的DFM优化技术,通过对版图进行CMP分析和检查,找出存在热点的区域进行Dummy填充,再利用寄生参数提取工具评估寄生效应,并根据设计需求进行修正,形成CMP模拟与参数提取相结合...
新型高效ECP/CMP工艺建模工具
    EDA中心研发团队通过深入研究铜互连ECP/CMP工艺,建立了结合设计版图图形与CMP机理的新型高效互连工艺建模技术,开发了芯片级多节点多层铜制程ECP/CMP建模和仿真工具,可动态模拟ECP/CMP工艺演进过程,快速实现芯片互连平台化偏差提取及校正;仿真工具通过了SMIC 65/45纳米实测硅片数据验证,精度满足SMIC生产线的需求,经与国际上同类商用软件Cadence、Synopsys、Mentor工具比较,达到了国际同类工具水平,已交付SMIC使用...
纳米工艺DFM优化的PDK和标准单元库
    基于面向先导工艺的高性能IP核研发平台,为中芯国际、华虹宏力、华润上华等Foundry的先导工艺开发了40/65/130/180nm和0.35/0.5μm工艺节点的PDK,40nm/65nm/1μm工艺的标准单元库,以及40V/80V/120V/600V BCD高压工艺IP库、0.18μm SiGe BiCMOS IP库和0.13μm嵌入式闪存IP库。
三维快速模拟仿真电磁计算分析软件
    自主开发完成通用电磁模拟仿真分析软件EMbridge,满足电磁、机电器件需求。结合最新研发的算法成果显著提高了场分析的效率。创新提出的快速多阶敏感度算法、随机谱方法能够应对IC工业中工业偏差引入的随机影响。
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