国际微波技术会（International Microwave Symposium，IMS）是由IEEE微波理论与技术学会（MTT-S）主办的全球规模最大、最具权威性的微波与射频领域学术会议。2025国际微波研讨会（International Microwave Symposium 2025）日前在美国旧金山圆满落幕，高频高压中心刘新宇研究员团队两项研究分别入选技术分会（Technical Session）和互动论坛（Interactive Forum）。
研究工作一聚焦于新型GeN介质材料的探索研究，开发了采用GeN作为栅介质的MIS-HEMT器件，成功解决了传统AlN/GaN结构中普遍存在的反向栅漏电及界面陷阱问题，所研制的器件在30 GHz下实现了3.9 W/mm的输出功率密度和33%的功率附加效率（PAE），为毫米波高功率GaN器件的发展提供了新思路。
研究工作二提出了基于栅区图形化沟道调控技术，有效提升了器件的阈值电压和输出性能。该器件具有0.41 V的正向阈值电压（VTH）和0.94A/mm的饱和电流密度（IDMAX），并在0.2µm栅长下实现了高达577.6 mS/mm的跨导（GmMAX）及138 GHz的功率增益截止频率（fMAX）。在18 GHz连续波条件下，器件表现出70%的高PAE和2.22 W/mm的输出功率密度，较现有增强型结构器件展现出优异性能，显示出其在低电压射频终端应用中的巨大潜力。
以上两项工作以“AlN/GaN MIS-HEMT with GeN Gate Dielectric for mm-Wave Applications”、“High Power-Added-Efficiency AlGaN/GaN E-Mode HEMTs for Low-Supply-Voltage RF Terminal Applications”为题分别入选 Advanced Semiconductor Technologies、interactive forum方向，并应邀作口头报告及互动论坛展示。两篇论文的第一作者分别是博士生王建超、何晓强，通信作者魏珂正高级工程师、张昇副研究员、刘新宇研究员。
图1 GeN栅介质AlN/GaN器件30G功率测试结果
图2 高效率E-Mode器件18G功率测试结果
综合信息