9月7日，大连理工大学教授王德君做客微电子所青促会“芯文化”论坛之“青年沙龙”并作精彩报告。本次报告会为线上视频会议。微电子所职工、研究生及大连理工大学部分学生共40余人在线上远程参会。高频高压中心研究员王盛凯主持会议。
王德君教授介绍了其在SiC MOSFET近界面缺陷与阈值电压漂移抑制技术方面取得的研究成果。SiC MOSFET是我国信息领域的核心基础器件之一，具有高功率、高压、高频、高温等优势，能够提升装备系统效率、减少装置的体积和重量、提高系统可靠性，对于我国轨道交通、新能源汽车、光伏等战略新兴产业发展具有重要意义。王德君教授介绍了降低SiC MOSFET栅氧关键工艺界面缺陷、提升器件可靠性和性能的方案，介绍了等离子体氧化工艺和MOS二极管电容制备工艺，讲解了不同偏压温度应力下的频带电压漂移行为及其机制。在自由交流环节，与会人员就感兴趣的话题，分别进行了深入讨论，交流会现场气氛活跃。
王德君现任大连理工大学教授，博士生导师，长期从事SiC半导体器件物理与技术、半导体缺陷物理学、集成电路技术研究。
会议现场
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