10月22日，微电子所光电研发中心在北京新技术基地举行EUV光刻及掩模检测学术交流会，邀请瑞士保罗谢勒研究所Yasin 教授作了题目为“EUV lithography and Metrology for more Moore”的交流报告。光电研发中心30多名职工、研究生参加了交流会。交流会由光电研发中心主任周维虎研究员主持。
Yasin教授在报告中介绍了未来后摩尔时代的EUV光刻技术及测量技术，进一步介绍了基于同步辐射的EUV光刻技术的发展现状，详细介绍了不同类型光刻胶在EUV波段干涉光刻曝光特性研究进展，对未来5纳米及以下光刻技术进行了展望。他结合自身科研工作，详细介绍了基于同步辐射光源的叠层成像技术在EUV掩模检测中的优势，对瑞士保罗谢勒研究所下一步在EUV掩模检测方面的研究工作进行了展望，并对未来10纳米以下有图形晶圆检测和测量的技术趋势以及同步辐射源在该领域的应用可能性进行论证。
参会人员就EUV光刻技术及掩模检测技术同Yasin教授进行了广泛、深入的讨论和交流，并对与瑞士保罗谢勒研究所的未来合作提出了设想和期望。
交流会现场
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