| 专利名称: | 等平面场氧化隔离结构及其形成方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201210521736.4 |
| 申请日期: | 2012-12-06 |
| 专利号: | 201210521736.4 |
| 第一发明人: | 许高博;徐秋霞 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | 201210521736.4 |
| 其它备注: | 十室 |
| 专利名称: | 等平面场氧化隔离结构及其形成方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201210521736.4 |
| 申请日期: | 2012-12-06 |
| 专利号: | 201210521736.4 |
| 第一发明人: | 许高博;徐秋霞 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | 201210521736.4 |
| 其它备注: | 十室 |
科研产出