专利名称: 栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件
专利类别: 发明专利
申请号: 201210246572.9
申请日期: 2012-07-16
专利号: 201210246572.9
第一发明人: 杨红;马雪丽;王文武;韩锴;王晓磊;殷华湘;闫江
实施情况: 授权
专利证书号: 201210246572.9
其它备注: 十室