| 专利名称: | 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 |
| 专利类别: | 国际专利 |
| 申请号: | PCT/CN2012/075685 |
| 申请日期: | 2012-05-17 |
| 专利号: | 9,384,986 |
| 第一发明人: | 殷华湘;付作振;徐秋霞;陈大鹏 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | 9,384,986 |
| 其它备注: | 十室 |
| 专利名称: | 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 |
| 专利类别: | 国际专利 |
| 申请号: | PCT/CN2012/075685 |
| 申请日期: | 2012-05-17 |
| 专利号: | 9,384,986 |
| 第一发明人: | 殷华湘;付作振;徐秋霞;陈大鹏 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | 9,384,986 |
| 其它备注: | 十室 |
科研产出