一种III-V族半导体纳米线晶体管器件及其制作方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种III-V族半导体纳米线晶体管器件及其制作方法
专利类别:	发明专利
申请号:	201210546598.5
申请日期:	2012-12-14
专利号:	201210546598.5
第一发明人:	刘洪刚;常虎东;王虹;薛百清
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
专利授权日期:
缴费情况:
实施情况:	授权
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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