专利名称: 后栅工艺移除多晶硅假栅制程的监控方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201110149722.X
申请日期: 2011-06-03
专利号: 201110149722.X
第一发明人: 杨涛;赵超;李俊峰;闫江;陈大鹏
实施情况: 授权