专利名称: 半导体器件及其制造方法
专利类别: 国际专利
申请号: PCT/CN2012/001152
申请日期: 2012-08-27
专利号: US8652891
其它发明人: 殷华湘;秦长亮;徐秋霞;陈大鹏
实施情况: 授权
专利证书号: US8652891
其它备注: 中国科学院微电子研究所