| 专利名称: | 一种形成半导体结构的方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201110033687.5 |
| 申请日期: | 2011-01-30 |
| 专利号: | ZL2011100336875.0 |
| 第一发明人: | 范正萍 |
| 其它发明人: | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | ZL2011100336875.0 |
| 其它备注: | 中国科学院微电子研究所 |
| 专利名称: | 一种形成半导体结构的方法 |
| 专利类别: | 发明专利 |
| 申请号: | 201110033687.5 |
| 申请日期: | 2011-01-30 |
| 专利号: | ZL2011100336875.0 |
| 第一发明人: | 范正萍 |
| 其它发明人: | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 |
| 实施情况: | 授权 |
| 专利证书号: | ZL2011100336875.0 |
| 其它备注: | 中国科学院微电子研究所 |
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