专利名称: MOS器件的建模方法
专利类别: 发明专利
申请号: 201210123082.X
申请日期: 2012-04-24
专利号: 201210123082.X
第一发明人: 卜建辉
其它发明人: 卜建辉;毕津顺;梅博;罗家俊;韩郑生
实施情况: 授权
专利证书号: 201210123082.X
其它备注: 中国科学院微电子研究所