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专利名称: 一种半导体器件及其形成方法
专利类别: 发明
申请号: 201010215165.2
申请日期: 2010-06-22
专利号: ZL201010215165.2
第一发明人: 钟汇才,梁擎擎,尹海洲,朱慧珑
其它备注: 十室
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