当前位置 首页 科研工作 科研产出 专利
专利名称: 具有改善的载流子迁移率的NMOS的制造方法
专利类别: 发明
申请号: PCT/CN2010/074145
申请日期: 2010-06-21
专利号: US8361851
第一发明人: 朱慧珑,尹海洲,骆志炯
其它备注: 十室
中国科学院微电子研究所版权所有 邮编：100029
单位地址：北京市朝阳区北土城西路3号，电子邮件：webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号，京ICP备05002781号-1