| 专利名称: | 半导体器件及其制造方法 |
| 专利类别: | 实用新型 |
| 申请号: | 201190000081.5 |
| 申请日期: | 2011-11-01 |
| 专利号: | ZL201190000081.5 |
| 第一发明人: | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯 |
| 其它备注: | 十室 |
| 专利名称: | 半导体器件及其制造方法 |
| 专利类别: | 实用新型 |
| 申请号: | 201190000081.5 |
| 申请日期: | 2011-11-01 |
| 专利号: | ZL201190000081.5 |
| 第一发明人: | 尹海洲,朱慧珑,骆志炯 |
| 其它备注: | 十室 |
科研产出