一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法 --中国科学院微电子研究所

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专利名称:	一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法
专利类别:	发明
申请号:	200910077623.8
申请日期:	2009-02-09
专利号:	0
第一发明人:	许高博,徐秋霞
其它发明人:
国外申请日期:
国外申请方式:
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实施情况:
专利证书号:
专利摘要:
其它备注:

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