| 专利名称: | 采用纳米光镊技术将ZnO纳米线定位到场效应管衬底的方法 |
| 申请号: | 200810238871.1 |
| 申请日期: | 2008-12-03 |
| 专利号: | CN101752249A |
| 第一发明人: | 黎明 |
| 专利摘要: | 本发明公开了一种采用纳米光镊技术将ZnO纳米线定位到场效应管衬底的方法，该方法包括：在衬底上涂一层光刻胶，用源漏阳版光刻显影，形成按一定规律排列的源漏PAD；将ZnO纳米线超声降解于异丙醇溶液中，采用纳米光镊技术微操作ZnO纳米线，移动ZnO纳米线的位置，将ZnO纳米线作为场效应管的沟道与该源漏PAD的两端形成欧姆接触；再蒸发Ti/Au金属形成源漏金属PAD，实现将ZnO纳米线定位到场效应管的衬底。本发明具有成效明显，工艺简单易行，经济适用和可靠性强的优点，易于在半导体器件制作中采用和推广。 |
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