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  • 姓名: 张保
  • 性别: 男
  • 职称: 副研究员
  • 职务: 
  • 学历: 博士
  • 电话: 82995868
  • 传真: 
  • 电子邮件: zhangbao@ime.ac.cn
  • 所属部门: 新技术开发部存储器实验室
  • 通讯地址: 北京市朝阳区北土城西路3号

    简  历:

  • 教育背景: 

    2013年9月-2019年1月  中国科学院半导体研究所  凝聚态物理学  博士

    2009年9月-2013年7月  内蒙古大学  应用物理学  学士

    工作简历:

    2012年10月-至今  中国科学院微电子研究所  副研究员 

    2019年6月-2022年10月  中国科学院微电子研究所  助理研究员


    社会任职:

    研究方向:

  • 主要从事基于铁电薄膜的3D FeNAND存储器器件基础研究及阵列研发、磁随机存储器(MRAM)中的磁电耦合效应机理研究

    承担科研项目情况:

  • 1.2023年12月,承担科技部重点研发计划-青年科学家项目“3D NAND闪存未来技术”,300万元,项目负责人

    2. 2022年1月,承担国家自然科学基金委青年科学基金项目“基于掺杂HfO2铁电薄膜的铁电机理及磁电耦合效应研究”,30万元,项目负责人

    3.2019年11月,承担中国科学院特别研究助理“新型磁随机存储器芯片的集成工艺研究”,80万元,项目负责人

    4. 2022年11月,参与科技部国家重点研发计划项目“柔性高密度主动式头皮生物电极设计与仪器开发”,450万元,课题骨干


    代表论著:

  • 1. Bao Zhang, Peizhen Hong, Jingwen Hou, Zongliang Huo, Tianchun Ye,Doped HfO2-based ferroelectric-aided charge- trapping effect in MFIS gate stack of FeFET,Journal of Applied Physics 133,164103 (2023)

    2. Bao Zhang, Siwei Mao, Chunlong Li, Peizhen Hong, Jingwen Hou, Jianhua Zhao and Zongliang Huo, Dual-axis control of magnetic anisotropy in single crystal Co2MnSi thin film through piezo-voltage-induced strain, Nanoscale Advances 4, 3323 (2022).

    3.Bao Zhang, Chunlong Li, Peizhen Hong and Zongling Huo, Ferroelectric control of the perpendicular magnetic anisotropy in PtCoRu/Hf0.5Zr0.5O2 heterostructure, Applied Physics Letters 119, 022405 (2021).

    4. Ting Li, Bao Zhang, Hailong Wang, Jianhua Zhao, Kaiyou Wang and Xinhui Zhang, Piezostrain modulation of magnetic damping in MBE-grown epitaxial Co2FeAl/GaAs heterostructure, Journal of Physics D: Applied Physics 52, 455001 (2019). 

    5. Bao Zhang, Hai-Long Wang, Jin Cao, Yu-Cai Li, Mei-Yin Yang, Ke Xia, Jian-Hua Zhao , and Kai-You Wang, Control of magnetic anisotropy in epitaxial Co2MnAl thin films through piezo-voltage-induced strain, Journal of Applied Physics 125, 082503 (2019).

    6. Liuyang Luo, Zhiyong Lu, Xingqi Zou, Yu Zhang, Bao Zhang, Chenglin Zhao, Zhiguo Zhao, Chunlong Li and Zongliang Huo, An effective process to remove etch damage prior to selective epitaxial growth in 3D NAND flash memory, Semiconductor Science and Technology 34, 095004 (2019).

    7. Bao Zhang, Kang-Kang Meng, Mei-Yin Yang, K. W. Edmonds, Hao Zhang, Kai-Ming Cai, Yu Sheng, Nan Zhang, Yang Ji, Jian-Hua Zhao, Hou-Zhi Zheng and Kai-You Wang, Piezo Voltage Controlled Planar Hall Effect Devices, Scientific Reports 6, 28458 (2016).

    8.  Kaiming Cai, Meiyin Yang, Hailang Ju, Kevin William Edmonds, Baohe Li, Yu Sheng, Bao Zhang, Nan Zhang, Shuai Liu, Yang Ji, Houzhi Zheng, Kaiyou Wang. Electric field control of deterministic current-induced magnetization switching in a hybrid ferromagnetic/ferroelectric structure, Nature Materials 16, 712 (2017).

    9. Nan Zhang, Bao Zhang, Mei-Yin Yang, Kai-Ming Cai, Yu Sheng, Yu-Cai Li, Yong-Cheng Deng, Kai-You Wang. Progress of electrical control magnetization reversal and domain wall motion, Acta Physica Sinica 66,027501 (2017).


    获奖及荣誉:

  •  1.2021年12月,优秀共产党员,中国科学院

     2.2017年7月,三好学生,中国科学院大学

     3.2017年5月,所长奖学金,中国科学院半导体研究所

     4.2016年12月,研究生国家奖学金,中国科学院大学

     5.2014年7月,优秀学生干部,中国科学院大学