教育背景
2016.09-2020.07，北京有色金属研究总院，博士
2011.09-2014.07,贵州大学，硕士
2007.09-2011.07，湖北经济学院，本科
工作简历
2020.07-至今，中科院微电子研究所，副研究员；
2017.04-2020.06，中科院微电子研究所，助理研究员；
2014.07-2017.03，中科院微电子研究所，研究实习员；[1] 国家自然科学基金委员会，青年科学基金项目，61904194，5 nm节点以下超薄铪基负电容材料稀土改性和三维架构协同效应研究，2020-01-01至2022-12-31，26万元，在研，主持；
[2] 北京市，多栅负电容 MOS 器件和关键材料研究，科技新星计划，2020-10 至 2023-09，40万元，在研，主持；
[3] 北方先进工艺研究院有限公司，堆叠纳米片围栅CMOS器件及集成技术研究项目，企业合作横向项目，2021-06 至 2024-05，1995万元，在研，参与；
[4] 中国科学院，3-1纳米集成电路新器件与先导工艺，2020-01 至 2022-12，1100万元，结题，参与；
[5] 北京市，新一代信息通信技术，水平堆叠环栅器件研制与新型沟道原型器件研究，2020-01 至 2021-06，500万元，结题，参与；
[6] 科技部重大科技专项，5nm 可集成堆叠纳米线和新型 FinFET 集成技术与关键问题，2017-01 至 2020-12，1097.25万元，结题，参与；
[7] 国家自然科学基金委员会，重大研究计划，超薄ZrO2栅介质NC-FinFET及其可靠性研究，2020-01-01至2023-12-31，300万元，在研，参与；
[8] 国家自然科学基金委员会，面上项目，堆叠纳米线围栅器件的辐射损伤机理及在线增强自修复机制研究，2019-01-01至2022-12-31，66万元，在研，参与。[1] Zhang, Q.; Gu, J.; Xu, R.; Cao, L.; Li, J.; Wu, Z.; Wang, G.; Yao, J.; Zhang, Z.; Xiang, J.; He, X.; Kong, Z.; Yang, H.; Tian, J.; Xu, G.; Mao, S.; Radamson, H.H.; Yin, H.; Luo, J. Optimization of Structure and Electrical Characteristics for Four-Layer Vertically-Stacked Horizontal Gate-All-Around Si Nanosheets Devices. Nanomaterials, 2021, 11, 646.
[2] Zhang Q., Yin H., Meng L., et al. Novel GAA Si nanowire p-MOSFETs with excellent short-channel effect immunity via an advanced forming process [J]. IEEE Electron Device Letters, 2018, 39(4): 464 - 467.
[3] Zhang Q., Yin H, Luo J, et al. FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin[C]. 2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2016: 17.3. 1-17.3. 4.
[4] Zhang Q., Tu H., Yin H., et al. Si nanowire biosensors using a FinFET fabrication process for real time monitoring cellular ion actitivies[C]. 2018 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). IEEE, 2018: 29.6. 1-29.6. 4.
[5] Zhang Q., Tu H, Yin H, et al. Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays[J]. Microelectronic Engineering, 2018, 198: 48-54.
[6] Zhang Q., Tu H, Gu S, et al. Influence of Rapid Thermal Annealing on Ge-Si Interdiffusion in Epitaxial Multilayer Ge0.3Si0.7/Si Superlattices with Various GeSi Thicknesses[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2018, 7(11): P671-P676.
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[3] 张青竹，殷华湘，闫江，李俊峰，杨涛，刘金彪，徐秋霞. 一种栅极及其形成方法[P]. 中国专利：CN105990403A.
[4] 张青竹, 殷华湘, 闫江. 一种形成鳍的方法及结构[P]. 中国专利：CN106531631A.
[5] 张青竹, 殷华湘, 闫江, 吴振华, 周章渝, 秦长亮, 张严波, 张永奎. 半导体器件及其制作方法[P]. 中国专利：CN107068769A.
[6] 张青竹, 殷华湘, 张兆浩, 李俊杰, 徐忍忍. 环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法[P]. 中国专利：CN108231584A.
[7] 张青竹, 徐忍忍, 殷华湘, 张兆浩. 隧穿场效应晶体管及其制备方法[P]. 中国专利：CN108258048A.
[8] 张青竹, 殷华湘, 闫江. 半导体器件制造方法[P]. 中国专利：CN106601617A.
[9] 张青竹, 殷华湘, 闫江. 一种形成鳍的方法及结构[P]. 中国专利：CN106531631B.
[10] 张青竹, 张兆浩, 魏千惠, 屠海令, 殷华湘, 魏峰, 赵鸿滨, 王文武. 一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件[P]. 中国专利： CN110527978A.
1. 北京市科技新星计划，2020年；
2. 中国科学院青年促进会会员，2019年；
3. 中国电子学会优秀博士论文， 2020年；
4. 微电子所“先进工作者”， 2016年；
人才队伍