教育背景
2003.9—2007.7 南京理工大学 电子科学与技术 学士学位
2007.9—2012.7 中国科学院微电子研究所 微电子与固体电子学 博士学位
工作简历
2012.10—2017.4 中国科学院微电子研究所 助理研究员，所团委委员
2017.4—2022.9 中国科学院微电子研究所 副研究员
2022.9-至今 中国科学院微电子研究所 研究员
其中，2017.5起所团委副书记，2018.12起高频高压中心副主任，2021.10起高频高压中心主任，党委委员。
中国科学院青年创新促进会会员
中国电力企业联合会电力集成电路标准化技术委员会委员
III族氮化物微波功率器件 化合物半导体界面物理与异质集成
1.国家高层次青年拔尖人才项目，项目负责人； 2.国家重大科研仪器研制项目，“新型异质材料常温集成系统”项目，任务负责； 3.高新技术领域重点项目，“材料与集成”，项目负责人； 4.高新技术领域工程项目，“AlN辅助生长器件”，项目负责人； 5.中国科学院青年创新促进会会员项目； 6.中科院科技服务网络（STS）区域重点项目，“硅基氮化镓增强型电力电子核心器件与产业化”项目，项目负责人； 7.国家重大科研仪器研制项目，“新型GaN电子器件低界面态介质生长系统”项目，核心骨干（执行负责人）； 8.国家自然科学基金青年项目，“兼容CMOS工艺的Ga2O3辅助GaN-to-Si异质键合技术及机理研究”项目，项目负责人；
(1)Xinhua Wang; et al. Cost-Effective 1200 V SiC MOSFETs on a Novel 150 mm SiC Engineered Substrate with Dummy-Grade Material Reuse, 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), San Francisco, CA, USA, 2024-12-7至2024-12-11
(2)Tian, Ye, Gao, Runhua; Wang, Xinhua Wang*, Xinhua; et al. Wafer-scale N-polar GaN heterogeneous structure fabricated by surface active bonding and laser lift-off, JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2024, 1006: 176253
(3)Kexin Deng, Xinhua Wang*, et al. Effective suppression of deep interface states and dielectric trapping in SiNx/GaN metal-insulator-semiconductor structures by a SiOxNy interfacial layer grown by plasma-enhanced atomic layer deposition.
Applied Surface Science, vol.607, p. 154937, 2023
(4)Xinhua Wang, et al. Partially Crystallized Ultrathin Interfaces between GaN and SiNx Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition and Interface Editing. ACS Appl. Mater. Interfaces, vol. 13, no. 6, pp. 7725–7734, 2021.
(5)Kexin Deng†, Xinhua Wang†*, et al. Suppression and characterization of interface states at low-pressure-chemical-vapor-deposited SiNx/III-nitride heterostructures. Applied Surface Science, vol. 542, p. 148530, 2021.
(6)Xinyu Liu+, Xinhua Wang+,*, et al. “Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition,” ACS Appl. Mater. Interfaces，10(25), pp. 21721–21729 , 2018.
(7)Xinhua Wang, et al. Robust SiNx/AlGaN Interface in GaN HEMTs Passivated by Thick LPCVD-Grown SiNx Layer. IEEE Electron Device Letter, 36(7), p.666, 2015
(1)王鑫华; 刘新宇; 高润华; 邢湘杰; 黄森; 魏珂 ; 一种薄膜半导体与金刚石复合衬底及其制造方法, 2023-10-20, 中国, 202310960195.3
(2) 王鑫华; 邢湘杰; 高润华; 刘新宇; 黄森; 魏珂 ; 一种基于临时载体的SiC/金刚石复合衬底制造方 法, 2023-10-03, 中国, 202310960260.2
(3) 王鑫华; 刘新宇; 黄森; 蒋浩杰; 魏珂; 殷海波; 樊捷 ; 一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结 构及其制备方法, 2020-4-30, 中国, 202010369832.6
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