教育背景

1997.9-2001.6，河北师范大学，本科，物理

2001.9-2004.6，广西大学，硕士，材料物理

2004.9-2007.6，中国科学院半导体研究所，博士，固体电子与微电子

工作简历

2007.7至今，中科院微电子研究所，副研究员

1、AlGaN/GaN HEMT 低频噪声与器件可靠性相关性的研究，国家自然基金 青年科学基金项目，2012.1－2014.12 28万 项目负责人

2、AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究，国家自然基金 面上项目 2010.1－2012.12 31万 主要负责

3、GaN基毫米波功率器件与材料基础与关键技术研究，国家自然基金 重大项目 成员

4、新一代化合物半导体电子器件与电路研究子课题“AlGaN/GaN微波功率器件” 973成员

1、Miao Zhao, Liu Xinyu, etal., Thermal storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors，IEEE transaction on device and material reliability, 10 (2010)， P 360-365。

2、Miao Zhao, M.Q.Tan, etal., The effect of proton radiation on a superluminescent diode (SLD)，Nuclear Inst. And Methods in Physics Research, B, 260, 2007: 623-627.

3、赵妙，刘新宇，等，GaN帽层对AlGaN/GaN HEMT 肖特基特性的研究， 第十五届全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议，2008：697－699

4、赵妙，谭满清，等，双源电子束蒸发提高光学薄膜致密性的工艺研究，光电子·激光，18（2007）40-42

5、赵妙，谭满清，质子辐照对超辐射发光二极管性能的影响，半导体学报，27（2006）1586－89

6、Wang Xin-Hua，Zhao Miao，Liu Xin-Yu，The physical process analysis of capacitance-voltage characteristics for AlGaN-AlN-GaN HEMTs, Chinese physics B, 19 (2010).

7、Wang Xinhua, Zhao Miao, Liu Xinyu, etal. A revised approach to schottky parameters extraction for GaN HEMT after elevated temperature aging，Journal of semiconductors，2010，31(7), P074005

8、Zhaomiao，Liu xinyu，Zheng Yingkui，etal，IEEE 19th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2012)

1、赵妙，等，一种提高肖特基势垒高度的方法，申请号：200910303939.4， 09.07.02

2、赵妙，等，已减薄或划片的氮化镓场效应管的退火处理方法，200910307846.9，09.09.28

3、赵妙，等，一种测量AlGaN/GaN HEMT器件凹栅槽深度的方法，200910241685.8，2009.12.02

4、赵妙，刘新宇，等，一种检测GaN器件肖特基漏电模式的方法，201010217186.8，2010.7.6

5、赵妙，等，一种通过肖特基测试图形监测GaN基HEMT可靠性的方法，201010241994.8 2010.8.3

6、赵妙，刘新宇，等，一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，201010233999.6，2010.7.22

7、赵妙，等，确定场效应管老化条件的方法、场效应管老化方法及场效应管筛选方法，201110163890.4，2011.6.17

8、赵妙，等，对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，201110236597.6,2011.8.17

9、赵妙，等，一种测量GaN基器件热可靠性的方法，201110236600.4，2011.8.17

10、赵妙，等，确定AlGaN/GaN基异质结沟道载流子寿命的方法，201210238641.1，2012.7.10

11、赵妙，等，一种评价半导体器件肖特基电流输运方式的方法，201210239703.0，2012.7.10

12、赵妙，等，双沟道晶体管及其制备方法，201210335697.9，2012.9.11

13、赵妙，刘新宇，郑英奎，李艳奎等，GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法，201410005195.9, 2014.1.6

14、赵妙，刘新宇，魏珂，李艳奎等，一种GaN基半导体器件欧姆接触可靠性的评价方法，201410005400.1, 2014.1.6

15、赵妙，刘新宇，郑英奎，李艳奎等 一种检测器件肖特基漏电模式的方法，201010217186.8， 2013.7.3

16、赵妙，刘新宇，郑英奎，魏珂，李艳奎等，一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法，201010233999.6， 2013.8.14

Zhaomiao，Liu Xinyu，IEEE 16th International symposium on the Physical&Failure analysis of Integrated Circuited (IPFA 2009) Photo