| 论文编号: | 1725110120150162 |
| 第一作者所在部门: | 研究生1，硅器件中心 |
| 论文题目: | 0.2 μm FDSOI NMOSFET的背栅效应及总剂量辐射响 |
| 作者: | 赵星 |
| 刊物名称: | 第十二届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 |
| 年: | 2015 |
| 期: | 1 |
| 页: | 32-32 |
| 论文编号: | 1725110120150162 |
| 第一作者所在部门: | 研究生1，硅器件中心 |
| 论文题目: | 0.2 μm FDSOI NMOSFET的背栅效应及总剂量辐射响 |
| 作者: | 赵星 |
| 刊物名称: | 第十二届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 |
| 年: | 2015 |
| 期: | 1 |
| 页: | 32-32 |
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