| 论文编号: | 1725110120140207 |
| 第一作者所在部门: | 十室一组 |
| 论文题目: | Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology |
| 作者: | 王桂磊 |
| 刊物名称: | Solid-State Electronics |
| 年: | 2014 |
| 卷: | 103 |
| 期: | 1 |
| 页: | 222 |
| 联系作者: | 王桂磊 |
| 影响因子: | 1.514 |
| 论文编号: | 1725110120140207 |
| 第一作者所在部门: | 十室一组 |
| 论文题目: | Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology |
| 作者: | 王桂磊 |
| 刊物名称: | Solid-State Electronics |
| 年: | 2014 |
| 卷: | 103 |
| 期: | 1 |
| 页: | 222 |
| 联系作者: | 王桂磊 |
| 影响因子: | 1.514 |
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