| 论文编号: | 172511O120130012 |
| 论文题目: | 等离子增强ALD沉积AlN钝化AlGaN/GaN HEMTs的机理：利用极化电荷补偿界面态 |
| 作者: | 黄森 |
| 刊物名称: | IEEE Electron Device Letters |
| 年: | 2013-02-01 |
| 卷: | 2 |
| 期: | 34 |
| 页: | 193 |
| 联系作者: | 黄森 |
| 论文编号: | 172511O120130012 |
| 论文题目: | 等离子增强ALD沉积AlN钝化AlGaN/GaN HEMTs的机理：利用极化电荷补偿界面态 |
| 作者: | 黄森 |
| 刊物名称: | IEEE Electron Device Letters |
| 年: | 2013-02-01 |
| 卷: | 2 |
| 期: | 34 |
| 页: | 193 |
| 联系作者: | 黄森 |
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