论文编号: 172511O120120245
第一作者所在部门: 四室一组
论文题目: SiC衬底的多指AlGaN/GaN高迁移率器件热阻的建模、仿真和分析
作者: 刘新宇
刊物名称: CHIN. PHYS. LETT
: 2012
: 29
: 8
: 088502-1
联系作者: 刘新宇
影响因子: 0.731
备注: SCI收录