| 论文编号: | TN386 |
| 第一作者所在部门: | 硅器件与集成技术研究室(一室) |
| 论文题目: | 部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐照的最坏偏置 |
| 作者: | 卜建辉;刘梦新;胡爱斌;韩郑生 |
| 刊物名称: | 半导体技术 |
| 年: | 2009 |
| 卷: | 34 |
| 期: | 1 |
| 页: | 4，65-68 |
| 摘要: | 通过模拟对ON、OFF、TG三种偏置下PD SOI NMOSFET的总剂量辐照效应进行了研究。模拟发现正沟道的最坏偏置是ON偏置，背沟道的最坏偏置与总剂量有关。当总剂量大时，背沟道的最坏偏置是OFF偏置；当总剂量小时则是TG偏置。而NMOSFET的最坏偏置则取决于起主要作用的是正栅还是背栅。由于辐照产生电子空穴对的过程与电场分布强相关，通过分析不同偏置下电场分布的差异确定最坏偏置的内在机制。 |
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