中国科学院微电子研究所（以下简称微电子所）的前身是中国科学院109厂。1958年，为满足国家研制“两弹一星”和高频晶体管计算机的战略需求，109厂应运而生，1965年9月成为独立的法人单位，由中国科学院直接领导。1986年，109厂与中国科学院半导体研究所、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并，更名为中国科学院微电子中心，2003年9月更名为中国科学院微电子研究所。
微电子所重点研究方向是：核心电子器件产品与技术（包括SOI CMOS集成电路设计与制造技术、高性能功率VDMOS晶体管、GaN功率器件及集成技术、X射线衍射光学元件等），高端通用芯片产品与技术（包括手持数字电视接收芯片、宽带无线接入芯片、数字家庭SOC等），面向产业的公共技术创新平台（EDA中心），集成电路核心技术与先导工艺技术（包括22nm以下集成电路先导工艺技术、光互联与系统封装研究、32nm以下集成电路新设备技术、常压等离子体研究、纳米加工、新型存储器等），纳电子基础前沿研究（包括纳米晶非挥发存储器、分子电子器件及集成技术）。
截至2008年底，微电子所设有10个研究室，分别为：硅器件与集成技术研究室、专用集成电路与系统研究室、微细加工与纳米技术研究室、微波器件与集成电路研究室、通信与多媒体S O C研究室、电子系统总体技术研究室、电子设计平台与共性技术研究室、微电子设备技术研究室、系统封装技术研究室、集成电路先导工艺研发中心。2008年12月，经中国科学院批准，“中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室”正式成立，该实验室是微电子所第一个中科院重点实验室。
截至2008年底，微电子所共有在职职工474人，流动人员292人（此数据包括研究生和博士后），离退休人员542人，进创新岗位人员141人。在职职工中，共有科研人员326人，科技支撑人员148人，包括中国科学院院士2人、正高级专业技术人员32人、副高级专业技术人员62人、项目聘用人员263人；流动人员中，共有客座研究员14人。微电子所现有电子科学与技术一级学科下设的二级学科微电子学与固体电子学硕士、博士研究生培养点，并设有电子科学与技术一级学科博士后流动站；2008年共有在学研究生270人，其中博士生98人、硕士生172人，有在站博士后8人。
2008年，研究所共有在研项目149项（包括新争取项目45项），其中国家重点基础研究发展计划（973）项目（或课题）17项，中国高技术研究发展计划（863）项目（或课题）11项；国家自然科学基金重点项目2项，“杰出青年基金”项目1项；中国科学院知识创新工程重要方向项目3项，国际合作项目1项；与地方政府合作项目2项。
2008年，微电子所取得主要成果有：成功研制出国内首个ZnO纳米棒场效应晶体管，获得了满意的器件性能，并对紫外光辐照表现出良好的敏感特性，相关学术论文已被Solid-State Electronics（《固体电子》）、Chinese Physics B（《中国物理B（英文版）》）等期刊收录；受理专利14项；微电子所提出的超宽带物理信道划分提案被中国无线个域网标准组完全采纳并作为即将出台的中国超宽带标准方案。此外，针对中国UWB频谱规划，展开了6-9GHz频段射频集成电路研究，一次流片成功了低噪声放大器，频率综合器和混频器等核心芯片；CMMB手持电视套片及其原型系统联调取得进展，研发成功DTV101套件，包括：手持电视核心芯片——DTV101解调芯片；DTV101硬件开发平台、固件、播放器；基于DTV101的USB dongle）；新型非挥发性存储器研究取得进展。在替代方案上，提出了利用金属掺杂的技术手段来提高阻变存储器（RRAM）性能和成品率的方法，这是国际上最早提出此概念的两个小组之一，并且得到国际研究热点的跟踪，已在Applied Physics Letters（《应用物理快报》）、Electron Device Letters（《IEEE电子器件快报》）等国际知名杂志发表论文多篇；InP基HBT与HEMT器件研究取得进展。微电子所采用三台面结构、基极发射极自对准、BCB平坦化等工艺，在器件频率特性、成品率及一致性方面取得突破进展；成功研制常压等离子体处理纺织面料设备，这是目前国内最大型的常压等离子体处理设备，也是国内目前为止按照实际生产线要求研制的第一台等离子体处理设备。
2008年度，微电子所获专利受理131项，其中发明专利128项，集成电路版图1项；获专利授权25项，其中发明专利21项，实用新型3项，集成电路版图1项；共发表论文196篇。
2008年，面向产业的EDA中心理事会确立了EDA中心今后发展的目标和定位——从资源共享提升到共性技术服务和共性技术研发的创新平台，一方面加大自身队伍建设，另一方面积极利用现有的技术服务能力和行业中的产业孵化基地合作，有效提升产业地位。现已获得工信部电子发展基金“集成电路服务平台”项目，成为国家级SoC/IP公共服务平台，并与CSIP和上海硅知识产权交易中心形成全国的网络互动，提供IP/SoC共性技术服务；联合科技部8个产业化基地，形成了产学研用联盟，为8家基地提供共性技术支撑，服务全国的芯片行业，并获得01国家重大专项的资助。据此，2008年EDA中心被中国科学院批准为第一批启动的京区专业技术加工服务区域中心，获得创新岗位8个和每年的常规运营经费支持，并因此确立了EDA中心面向产业的公共技术服务平台的地位。截至2008年12月底，EDA中心已成立8个联合实验室，分别为与Synopsys公司共建“先进SoC设计联合实验室”，与Mentor Graphics公司共建“先进SoC验证联合实验室”，与Mentor Graphics公司共建“系统设计联合实验室”，与Cadence系统设计公司共建“射频与混合信号IC设计联合实验室”，“射频与混合信号IC设计联合培训中心”，与Magma公司共建“纳米技术IC设计联合实验室”，与Agilent公司共建“微波SoC设计与验证联合实验室”和2008年成立的集成电路IP技术服务开放实验室。
截至2008年底，微电子所共有持股企业8家，职工200余人，资产总额4011万元，营业收入1900万元。
2008年，微电子所共接待国外专家来访和学术交流12个团组共37人，派遣出国访问、讲学、交流11个团组共23人次；聘任国外名誉和客座研究员6人。
微电子所是全国半导体设备与材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会秘书处、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术工作组秘书处、北京电子学会半导体专业技术委员会制版（光掩模制造）分技术委员会秘书处挂靠单位。
所况介绍