11月20日，我所举行聘任宏力半导体公司（Grace Semiconductor Manufacture Corp.）副总裁孔蔚然为客座研究员仪式。孔蔚然副总裁在接受叶甜春所长颁发的聘书后为现场师生作了题为“Endurance Study of Si-Floating-Gate Flash Memory”的精彩报告，与大家进行了热烈的讨论与交流。
孔蔚然，1985年在南开大学获得物理学学士学位，于1993年和1995年在美国俄勒冈科技研究生院（Oregon Graduate Institute of Science & Technology ）分别获得电子工程学硕士与应用物理学博士学位。他曾先后任职于schlumberger、ISSI、LSI Logic、Sun Microsystems，于2003年加入宏力半导体（GSMC），现任副总裁。
孔蔚然副总裁在宏力半导体（GSMC）期间领导并完成了多项关键技术和产品的研发工作，其中包括0.25/0.18μm NOR Flash，0.15μm LV Logic，0.12μm NOR Flash，0.25/0.18/0.15μm Embedded Flash。目前，微电子所微细加工与纳米技术研究室（三室）正与宏力半导体公司（GSMC）开展硅纳米晶嵌入式闪存的合作研究，并已在8英寸生产线上完成关键技术。
叶甜春所长（右）向孔蔚然副总裁颁发聘书
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