提高量子电阻芯片中霍尔器件的集成密度,是实现量子电阻多量值的关键。然而,霍尔器件尺寸微缩是否影响石墨烯基量子电阻性能,成为该领域亟待研究的科学问题之一。针对上述问题,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队,在同一石墨烯单晶衬底上,制备出具有不同沟... 详细 >>
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