经国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会批准，由微电子所牵头制定的《智能计算 忆阻器测试方法 第2部分：线性度》（GB/T 46567.2-2026，以下简称“标准”）于2026年4月30日发布，将于2026年11月1日起正式实施。
忆阻器作为实现新型存算一体架构的代表性器件，被视为突破传统计算体系中“存储墙”与“功耗墙”瓶颈的关键技术路径。标准系统规定了忆阻器线性度测试的环境条件、测试装置、关键指标及测试方法，为相关测试工作提供了规范依据。本标准与微电子所参与的《智能计算 忆阻器测试方法 第1部分：基础特性》（GB/T 46567.1-2025）、在研标准《智能计算 忆阻器测试方法 第3部分：脉冲依赖可塑性》（计划编号：20253308-T-469）相互衔接，为忆阻器从基础特性到线性度、再到可塑性功能的系统化测试提供了完整的标准化支撑，形成了忆阻器测试方法标准体系，是微电子所积极推动智能计算与半导体器件交叉领域标准化协作的重要成果。
作为标准的牵头制定单位，微电子所充分发挥自身在新型器件、存算一体架构设计及测试等领域长期积累的科研优势，联合相关产学研单位，开展了大量基础性研究与试验验证工作，为标准内容的科学性、系统性与可操作性提供了坚实保障。
标准的发布彰显了微电子所在忆阻器及智能计算测试技术领域的学术影响力与行业引领作用，也为我国在该前沿技术领域抢占标准制高点、掌握发展主动权贡献了重要力量。标准的实施将有力推动相关产业建立统一、科学的忆阻器线性度评价体系，为智能计算领域的技术有序竞争与协同创新提供统一尺度。
微电子所将继续立足自身科研优势，深度参与并牵头推进智能计算领域相关标准的研究与制定工作，持续完善测试方法体系，助力构建自主可控、系统完备的智能计算标准生态，为我国智能计算产业的高质量发展提供坚实的科技与标准支撑。
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