微电子所在DRAM刻蚀工艺三维仿真方向取得重要进展

随着DRAM制程不断微缩，有源区鳍形结构的刻蚀形貌控制成为提升良率的关键瓶颈。产业界普遍观察到wiggling AA效应，即鳍状结构出现非均匀侧壁与弯曲畸变，严重降低电容效率与器件可靠性。然而，其物理根源长期不明，缺乏系统的表征与机理模型，导致刻蚀工艺难以精准调控。

针对上述挑战，中国科学院微电子研究所EDA中心陈睿研究员与先导中心李俊杰正高级工程师、闻静高级工程师、维也纳工业大学Lado Filipovic教授合作，创新性地将聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）三维重构技术与刻蚀工艺模型深度融合，结合不同工艺条件下刻蚀过程的仿真与实验，揭示了wiggling AA效应的核心机理与调控机制。

研究成果近期在Nature工程领域子刊Communications Engineering发表，题为“3D reconstruction and etching profile simulation for wiggling active area effect in dynamic random access memory manufacturing”。微电子所博士研究生呼子义为论文的第一作者，微电子所陈睿研究员、李俊杰正高级工程师、维也纳工业大学Lado Filipovic教授为共同通讯作者。该项研究得到了国家重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金面上项目、中国科学院国际伙伴计划等项目支持。

论文链接：https://www.nature.com/articles/s44172-026-00626-3

图1 三维刻蚀模型框架（左上）DRAM有源区鳍形结构的FIB-SEM三维重构结果（左下）与仿真结果（右）。