集成电路制造技术全国重点实验室7篇学术论文入选2025年IEEE国际电子器件大会（IEDM 2025），研究成果覆盖了GAA晶体管、超薄EOT、感存算一体、MEMS-CMOS传感等多项学术前沿领域，这是微电子所连续12年在IEDM大会上发表论文。
在GAA晶体管多阈值技术研究方面发表论文1篇，内容包括：提出了一种原子级偶极翻转调控技术方法，构建了dipole last多阈值CMOS混合集成路径，并入选Top ranked student paper。（论文题目：First Demonstration of LaOx Atomic Flip Dipole Technique with Single Dipole Shifter in CMOS GAA NSFETs to Achieve ～66 mV/level Multi-VTs within 330 mV Range, 博士研究生王宇为第一作者，姚佳欣副研究员、殷华湘研究员为通讯作者。）
在超薄EOT方面发表论文1篇，内容包括：展示具有超高介电常数（κ=67）的极薄2.4 nm准单晶铪锆氧氮（QSC-HZON）栅介质，实现亚5 Å的栅叠层等效氧化层厚度（EOT）与4×10-3 A/cm2的栅漏电。论文题目：First Demonstration of Quasi-Single-Crystal (QSC) HfZrON Gate Dielectric (κ=67) with sub-5 Å EOT and 4×10-3 A/cm2 Jg for Si NSFET Scaling，博士研究生钟琨为论文第一作者，张兆浩副研究员、殷华湘研究员与华东师范大学成岩教授为论文共同通讯作者。
在单片三维集成感存算融合方面发表论文1篇，内容包括：实现了双层Si-FinFET与CNT-FET三维堆叠结构，并提出可重构硅基忆阻晶体管，验证了系统在高精度数模混合存算一体架构中实现目标检测。（论文题目：First Demonstration of Monolithic 3D SiSiC: A Hybrid Digital-Analog CIM with Vertically Stacked Dual-Tier Si-FinFETs and CNT-FETs for Intelligent Vision Processing），微电子所博士生王飞熊、张亚东和清华大学助研王泽为共同第一作者，微电子所黄河意副研究员、殷华湘研究员和清华大学唐建石副教授为共同通讯作者。
在磁电存储器研究方面发表论文1篇，内容包括：展示了基于硅衬底、与CMOS工艺完全兼容的新型超低功耗电压驱动磁电存储器件。（论文题目：Voltage-Driven HZO/Pt-nanocluster-based Magnetoelectric Devices with Low Thermal-Budget (400℃) and Ultra-Low Energy Consumption (0.46pJ/μm2)，微电子所博士生龚帅宇、微电子所李彦如助理研究员、山东大学博士生李晓鹏为共同第一作者，微电子所罗军研究员、杨美音副研究员、山东大学武继璇研究员为共同通讯作者。）
在存算一体方面发表论文1篇，内容包括：研究了具有高耐久性的后道铁电栅晶体管阵列、低开销的模拟输入/输出处理电路，以及多层可级联的专用架构。在此基础上，设计验证了一款520Kb双层级联模拟存算一体原型芯片。在典型FFN学习任务中，该芯片实现了84.1%的准确率，初步验证了铁电栅存算一体技术在片上学习方面的可行性。这一研究成果为下一代超低功耗模拟智能计算硬件的发展提供了新的技术路径。(论文题目：A 1763.9TOPS/W 520kb Scalable FeFET-Based Analog Computing-in-Memory Chip Using BEOL HZO Capacitor for On-chip Learning，博士研究生李伟增为论文第一作者，窦春萌研究员与罗庆研究员为共同通讯作者。)
在光传感器内计算方面发表论文1篇，内容包括：首次提出了一种具有超高线性度的栅控宽光谱有机光晶体管阵列，可以在同一硬件平台上实现卷积，夜间监测及低质量图片修复三大核心视觉任务，（论文题目：First Demonstration of a Gate-Tunable, Wide-Spectrum (405–850 nm), and 1.7% Average Linearity Error Organic Phototransistor Array for Multifunctional In-Sensor Vision Computing under Complex Lighting Conditions，博士生张帅迪、田越为第一作者，李蒙蒙，汪令飞和张锋研究员为通讯作者。）
在MEMS-CMOS传感研究方面发表论文1篇，内容包括：首次实现MEMS超声传感和可编程CMOS发射芯片的协同设计，展示了70%大带宽和5V低驱动电压下的人体肱动脉超声成像及血压监测（论文题目：First Codesign of 70%-Bandwidth PMUT Array with 5V Multi-level CMOS Transmitter for Human Artery Ultrasound Imaging in Wearable Devices）。博士生林雨澄和靳通为共同第一作者，高航研究员和刘欣副研究员为通讯作者。
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