教育背景
2009年10月—2014年3月 日本东京工业大学 博士
2005年9月-2009年6月 南京大学 本科
工作简历
2022年10~至今，中国科学院微电子研究所，微电子器件与集成技术研发中心，副主任，研究员
2018年10~2022年10，中国科学院微电子研究所，微电子器件与集成技术研发中心，研究员
2016年04~2017年06,中芯国际集成电路制造有限公司, 工程师
2014年07~2016年01,英国剑桥大学, 博士后
集成电路设计、新型存储器、智能计算芯片
1、自然基金重大研究计划重点支持项目，RRAM多元编码融合存算一体张量处理芯片,项目负责人,2024~2027
2、国家重点研发计划，嵌入式RRAM单元和工艺,课题负责人,2019~2023
3、中国科学院先导科技专项B类，存算一体计算芯片,课题负责人,2020~2024
4、自然基金青年科学基金项目，面向深度神经网络加速的高能效RRAM存内计算芯片技术研究,项目负责人，2020-2022
1. L. Wang, C. Dou* et al. A Flash-SRAM-ADC-Fused Plastic Computing-in-Memory Macro for Learning in Neural Networks in a Standard 14nm FinFET Process, IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC), Feb. 2024
2. L. Wang, C. Dou* et al., A 14nm 100Kb 2T1R Transpose RRAM with >150X resistance ratio enhancement and 27.95% reduction on energy-latency product using low-power near threshold read operation and fast data-line current stabling scheme, Symposium on VLSI (VLSI), 2021
3. C. Dou, et al., Enabling RRAM-Based Brain-Inspired Computation by Co-design of Device, Circuit, and System, IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), 2021
4. W. Ye, C. Dou* et al., A 28-nm RRAM Computing-in-Memory Macro Using Weighted Hybrid 2T1R Cell Array and Reference Subtracting Sense Amplifier for AI Edge Inference, IEEE Journal of Solid-State Circuits (JSSC), vol. 58, no.10, pp. 2839-2850, Oct 2023
5. L. Wang, C. Dou* et al., Efficient and Robust Nonvolatile Computing-In-Memory Based on Voltage Division in 2T2R RRAM With Input-Dependent Sensing Control, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs (TCASII), vol. 68, no. 5, pp. 1640-1644, May 2021
6. X. Wang, C. Dou* et al., A 4T2R RRAM Bit Cell for Highly Parallel Ternary Content Addressable Memory, IEEE Transactions on Electron Devices (TED), vol. 68, no. 10, pp. 4933-4937, Oct. 2021,
7. J. An, C. Dou* et al., Write–Verify-Free MLC RRAM Using Nonbinary Encoding for AI Weight Storage at the Edge, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 32, no. 2, pp. 283-290, Feb. 2024
8. H. Hu, C. Dou* et al., A 40-nm SONOS Digital CIM Using Simplified LUT Multiplier and Continuous Sample-Hold Sense Amplifier for AI Edge Inference, IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, vol. 31, no. 12, pp. 2044-2052, Dec. 2023
9. W.-H. Chen, C. Dou et al., CMOS-integrated memristive non-volatile computing-in-memory for AI edge processors, NATURE ELECTRONICS, 2019
10. C. Dou et al., Nonvolatile Circuits-Devices Interaction for Memory, Logic and Artificial Intelligence, 2018 IEEE SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY, 2018
1. 一种2T动态随机存储器单元多值写入电路及方法, 发明专利, 2023, 第 1 作者, 专利号: CN116721685A
2. 基于电荷堆叠的逐次逼近型模数转换方法及电路, 发明专利, 2023, 第 2 作者, 专利号: CN115955243A
3. 一种提高非易失性忆阻器型存储器稳定性的电路及存储器, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN115482858A
4. 一种基于忆阻器的存内计算阵列结构, 发明专利, 2022, 第 6 作者, 专利号: CN115376581A
5. 一种基于查找表的运算方法、装置、介质、及电子设备, 发明专利, 2022, 第 4 作者, 专利号: CN114996646A
6. 基于局部乘-整体加结构的存内计算电路、存储器及设备, 发明专利, 2022, 第 2 作者, 专利号: CN114863964A
7. 一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN114360594A
8. 一种灵敏放大器、存储器读取方法及存储器和电子设备, 发明专利, 2020, 第 1 作者, 专利号: CN111653300A
9. 一种字线译码电路、字线选通方法及存储器和电子设备, 发明专利, 2022, 第 1 作者, 专利号: CN111627481B
10. 一种存储单元、三值内容寻址存储器以及电子设备, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN112885392A
11. 一种动态钳位存内计算电路、存储器以及电子设备, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN113517008A
12. 实现双方向并行数据读取的非挥发存储阵列, 发明专利, 2021, 第 1 作者, 专利号: CN111028876B
13.存内计算电路, 发明专利, 2021, 第 2 作者, 专利号: CN111028875B
人才队伍