教育背景
2007-2011：中国科学院微电子研究所，微电子学与固体电子学专业，工学博士
2004-2007：辽宁大学物理学院，微电子学与固体电子学专业，理学硕士
2000-2004：辽宁大学物理学院，电子科学与技术专业，工学学士
工作简历
2018年-至今：中国科学院微电子研究所，集成电路先导工艺研发中心，正高级工程师，博士导师，入选中科院“院级高层次引进人才”，从事亚10纳米三维器件与集成技术研究
2011-2017年：新加坡联华电子公司（UMC），主任工程师，从事纳米CMOS器件和集成技术研究，主要负责逻辑产品、SRAM Macro以及eHV制程研发和平台建设
新型逻辑三维器件及高迁移率沟道集成研究
1. 国家自然科学基金, 锗硅高迁移率沟道堆叠纳米线环栅器件集成技术研究, 项目负责人
2. 国家自然科学基金, 面向Sub-3 nm技术节点的单面集成Si/SiGe异质沟道CFET技术研究, 课题负责人
3. 国家自然科学基金, 适用于三维FinFET器件的高浓度锗硅高迁移率沟道制备和钝化技术及机理研究, 项目负责人
4. 北京市自然基金, 锗硅高迁移率沟道FinFET器件关键集成技术研究, 项目负责人
5. 北京市科技计划，水平堆叠环栅器件研制与新型沟道原型器件研究, 课题负责人
6. 北京市自然基金，高浓度SiGe沟道FinFET 器件关键技术及机理研究, 项目负责人
7. 中国科学院，高性能SRAM关键电路验证, 任务负责人
8. 企业前沿技术合作, 面向下一代器件的新型沟道材料集成技术研究, 项目负责人
9. 企业前沿技术合作，FinFET器件锗硅高迁移率沟道制备技术研究，项目负责人1. Xin Wang, Xiaotong Mao, Xiaofeng Jia, Yanzhao Wei, Longyu Sun, Jie Xu, Xingrong Xiao, Zhaohao Zhang, Fei Zhao*, and Yongliang Li*, Matched Threshold Voltage of n Si/p SiGe Hybrid-Channel Gate-All-Around CMOS Transistors Using a Single LaFMD Dipole with the Same n-Type Metal Gate, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2026, 47(4), 668-71.
2. Longyu Sun, Haoyan Liu, Xin Wang, Fei Zhao, and Yongliang Li*, Three-Tier Stacked FET with Optimized Logic & SRAM Interconnect Design for Advanced Technology Node, IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, 73(3), 1129-35.
3. Xiaofeng Jia, Fei Zhao, Kaimin Feng, Shuai Yang, Jiahan Yu, Yihong Lu, Haoyan Liu, and Yongliang Li*, Four-level Stacked Si0.7Ge0.3 Channel Gate-All-Around Transistor Using Novel Channel Release and Passivation Technology, IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, 73(3), 1186-90.
4. Xiaofeng Jia, Xiaotong Mao, Kaimin Feng, Huaizhi Luo, Fei Zhao*, Haoyan Liu, Xiaolei Wang, Jun Luo, and Yongliang Li*, Stacked Si0.5Ge0.5 Nanosheet Device Utilizing a Novel Si/Si0.5Ge0.5 Multilayer on Three-Layer SiGe SRB Architecture, IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, 73(2), 1040-5.
5. Longyu Sun, Haoyan Liu, Xin Wang, Fei Zhao, Yongkui Zhang, Xiaolei Wang, Jun Luo, and Yongliang Li*, Monolithic Staggered CFET Enabling Eliminating Isolation Layer and Integrating N/PMOS with Varying Nanosheets Number, IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, 73 (1), 71-76.
6. Xiaotong Mao, XiaoFeng Jia, Longyu Sun, Fei Zhao, Haoyan Liu, Shengkai Wang, Xiaolei Wang, and Yongliang Li*, VFB Tuning and Dit Modulation using LaFMD and Al2O3 dual dipoles in PMOS Stacked Nanowire Transistors, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2025, 46(10), 1689-92.
7. Xiaotong Mao, Yongliang Li*, Yu Zhou, Xiaofeng Jia, Shuai Yang, Fei Zhao, Haoyan Liu, Longyu Sun, Shengkai Wang, Jianfeng Gao, Xiaolei Wang, and Wenwu Wang, Interface Properties Improvement and VFB Modulation on HfO2/IL/Si0.7Ge0.3 gate stacks Using LaFMD Passivation without EOT Compensation, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2025, 46(7), 1039-42.
8. Haoyan Liu, Longyu Sun, Yan Li, Jiayi Zhang, Xin Wang, Zhenhua Wu, Xiaotong Mao, Huaizhi Luo, Fei Zhao, and Yongliang Li*, A Novel SOI Nanosheet Transistor with Load-Si-Cut and Ultrathin SiGe Cladded Si Channel Structure for Enhanced Device Performance and Suppressed Process Variation, IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, 72(6), 2841-7.
9. Fei Zhao, Yongliang Li*, Xiaofeng Jia, Jiayi Zhang, Xiaotong Mao, Xi Zhang, Haoyan Liu, and Wenwu Wang, Co-Integration of Si-Channel nMOS and SiGe-Channel pMOS GAA Transistors Using the Novel Dual-Channel Selective Release Scheme, IEEE Transactions on Electron Devices, 2025, 72(2), 572-6.
10. Fei Zhao, Yan Li, Yongliang Li*, Xiaofeng Jia, Wenjuan Xiong, Zhenzhen Kong, Huaizhi Luo , Junjie Li, Jiayi Zhang, Xiaotong Mao, Zhenhua Wu, Min Xu, Jun Luo, and Wenwu Wang, Si Interlayers Trimming Strategy in Gate-all-around Device Architecture for Si and SiGe Dual-Channel CMOS Integration, Transactions on Electron Devices, 2023, 70(12), 6163-8.已授权专利：
已授权发明专利50余项，部分授权专利如下：
1. 李永亮，赵飞，罗军，王文武，一种半导体器件及其制造方法，申请号：ZL202210167253.2，申请日：2022年2月23日，授权公告日：2026年2月3日。
2．李永亮，赵飞，程晓红，张青竹，殷华湘，罗军，王文武，一种半导体器件及其制造方法，申请号：ZL202210681924.7，申请日：2022年6月15日，授权公告日：2026年1月9日。
3. 李永亮，陈安澜，一种晶体管及半导体器件，申请号：ZL202211009051.1，申请日：2022年8月22日，授权公告日：2026年2月10日。
4. 李永亮，张佳熠，罗军，王文武，一种环栅晶体管及其制造方法，申请号：ZL202310076902.2,申请日：2023年1月16日，授权公告日：2026年2月3日。
5. 李永亮，雒怀志，王晓磊，罗军，一种半导体器件及其制造方法，申请号：ZL202411449225.5，申请日：2024年10月16日，授权公告日：2026年1月9日。
6. 李永亮，李俊杰，程晓红，王文武, 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法、电子设备，申请号：ZL202010399407.1，申请日：2020年5月12日，授权公告日：2023年12月26日
7. 李永亮，程晓红，张青竹，殷华湘，王文武, 一种堆叠纳米线或片环栅器件及其制备方法，申请号：ZL201911113939.8，申请日：2019年11月14日，授权公告日：2024年4月9日
8. Yongliang Li，Xiaohong Cheng，Qingzhu Zhang，Huaxiang Yin，Wenwu Wang，SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME，授权日：2021-6-1，US，Application Number: 16/824,761
9. Yongliang Li，Xiaohong Cheng，Fei Zhao，Jun Luo，Wenwu Wang，SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING HIGH DRIVING CAPABILITY AND STEEP SS CHARACTERISTIC AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME，Issue Date: 2-Sep-2025，US，Application Number: 18/059,960.
10．Yongliang Li，Xiaohong Cheng，Qingzhu Zhang，Huaxiang Yin，Wenwu Wang，STACKED NANOWIRE OR NANOSHEET GATE-ALL-AROUND DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME，Issue Date: 18-Oct-2022，US，Application Number: 16/824,810
中科院微电子所优秀员工一次
中国科学院院长优秀奖一次
中国科学院朱李月华奖一次
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