Random Telegraph Noise: The key to single defect studies in nano-devices--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120150261
第一作者所在部门:	先导中心
论文题目:	Random Telegraph Noise: The key to single defect studies in nano-devices
论文题目英文:
作者:	方雯
论文出处:
刊物名称:	Thin solid films
年:	2015
卷:	43
期:	5
页:	1-4
联系作者:
收录类别:
影响因子:	1.759
摘要:
英文摘要:
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