论文编号: 1725110120140027
第一作者所在部门: 一室一组
论文题目: The STI stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs
论文题目英文:
作者: 卜建辉
论文出处:
刊物名称: Journal of Semiconductors
年: 2014
卷: 35
期: 3
页: 034008-1
联系作者: 卜建辉
收录类别:
影响因子: 0.2723
摘要:
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