| 论文编号: | 1725110120140101 |
| 第一作者所在部门: | 四室一组 |
| 论文题目: | Fluorinated Al2O3 Gate Dielectric Engineering on GaSb MOS Devices |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 曾振华 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Extended Abstracts of the 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials, Tsukuba, 2014, |
| 年: | 2014 |
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| 期: | 2014 |
| 页: | 122 |
| 联系作者: | 曾振华 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 0 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
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