Innovatively composite hard mask to feature sub-30nm gate patterning--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	1725110120140266
第一作者所在部门:	十室一组
论文题目:	Innovatively composite hard mask to feature sub-30nm gate patterning
论文题目英文:
作者:	孟令款
论文出处:
刊物名称:	Microelectronic Engineering
年:	2014
卷:	127
期:	5
页:	7
联系作者:	孟令款
收录类别:
影响因子:	1.338
摘要:
英文摘要:
外单位作者单位:
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