| 论文编号: | 1725110120140277 |
| 第一作者所在部门: | 十室一组 |
| 论文题目: | Transistor gate line roughness formation and reduction in sub-30-nm gate patterning using multilayer hard mask structure |
| 论文题目英文: | |
| 作者: | 孟令款 |
| 论文出处: | |
| 刊物名称: | Journal of Micro/Nanolithography, MEMS |
| 年: | 2014 |
| 卷: | 13 |
| 期: | 3 |
| 页: | 33010 |
| 联系作者: | 孟令款 |
| 收录类别: | |
| 影响因子: | 1.205 |
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| 英文摘要: | |
| 外单位作者单位: | |
| 备注: | |
科研产出