利用AlN薄膜钝化在AlGaN/GaN功率HEMT上实现低动态导通电阻--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120130018
第一作者所在部门:
论文题目:	利用AlN薄膜钝化在AlGaN/GaN功率HEMT上实现低动态导通电阻
论文题目英文:
作者:	陈敬
论文出处:
刊物名称:	ECS Transactions
年:	2013-03-01
卷:	50
期:	3
页:	343
联系作者:	陈敬
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