AlGaN/GaN HMET器件高温特性的分析--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110315
第一作者所在部门:
论文题目:	AlGaN/GaN HMET器件高温特性的分析
论文题目英文:
作者:
论文出处:
刊物名称:	IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY
年:	2011
卷:	10
期:	3
页:
联系作者:	刘新宇
收录类别:
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