高k栅介质/金属栅结构MOS器件的平带电压迁移和能带对准--中国科学院微电子研究所

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论文编号:	172511O120110371
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论文题目:	高k栅介质/金属栅结构MOS器件的平带电压迁移和能带对准
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刊物名称:	2011 IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
年:	2011
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联系作者:	王文武
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