20世纪80年代末至90年代，正值我国微电子产业从技术探索向规模化制造转型的关键时期。当时，国内大规模集成电路的成品率长期低下，自主工艺能力薄弱，严重制约了专用集成电路（ASIC）的研发与应用。面对这一局面，吴德馨先生带领团队自主开发成功3微米CMOS　LSI全套工艺技术，并用于64K　DRAM以及专用半专用集成电路的研究开发，并于1992年获中国科学院科技进步二等奖。这一成套工艺的突破，为我国自主设计、自主制造专用集成电路提供了可行的工艺平台，填补了当时国内在CMOS大规模集成电路制造能力上的空白。

20世纪90年代进一步研究成功0.8微米CMOS　LSI全套工艺技术，标志着我国在深亚微米集成电路工艺领域迈出了关键一步。0.8微米工艺在当时属于国际主流技术水平，该套工艺的成功开发，使我国具备了制造更高集成度、更高性能专用集成电路的能力。该成果荣获1996年中国科学院科技进步一等奖和1997年国家科技进步二等奖。

国家科技进步二等奖证书