收藏本站  |  English  |  联系我们  |  中国科学院
  首页 所况介绍  
新闻动态
 
 
 
 
 
 
 
 
 
现在位置:首页 > 新闻动态 > 综合新闻
 

国家知识产权局专利局审查员来微电子所开展专业技术实践活动
2018-10-10 | 编辑:科技处 吕霞 | 【 【打印】【关闭】
 

  9月10—12日,国家知识产权局专利局审查员一行6人来微电子所开展为期三天的专业技术实践活动。 

  本次实践活动,是国家知识产权局专利局审查员第一次在微电子所接受全脱产培训。活动分为报告和实践两个环节,由科技处组织,得到了先导中心、高频高压中心、硅器件中心和微电子重点实验室等研发中心的大力支持。 

  在报告环节,微电子所总工程师韩郑生代表研究所致欢迎词。科技处处长李平介绍了微电子所知识产权工作的总体情况,先导中心、高频高压中心、硅器件中心和微电子重点实验室先后以报告形式详细介绍了先导工艺技术、宽禁带SiC电力电子器件、毫米波GaN基功率器件、电路设计和布图、阻变存储器技术等微电子相关技术。 

  在实践环节,微电子所组织审查员实地参观了集成电路先导工艺净化工艺线,与所内科研人员进行交流。审查员从专利信息检索、专利复审与无效宣告程序等方面为科研人员做了专题知识讲座,了解科研一线对知识产权工作的需求、听取意见建议并答疑解惑。 

  本次活动使知识产权审查员对微电子相关技术有了更加直观的了解,对未来审查半导体器件、集成电路相关专利起到了重要的支撑作用,同时为科研人员创造了与审查员面对面交流的机会,使科研人员了解到更多专利审查细节,提升了在专利信息检索、专利复审和无效宣告等方面的知识,有利于知识产权工作的有效开展。

 

报告会现场

实地参观

 

 

附件下载:
    中国科学院微电子研究所版权所有 邮编:100029
单位地址:北京市朝阳区北土城西路3号,电子邮件:webadmin@ime.ac.cn
京公网安备110402500036号