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国家重点研发计划“面向三维集成的阻变存储器纳米尺度效应研究”项目2017年度总结会在微电子所召开
2018-01-31 | 编辑:微电子重点实验室 张康玮 | 【 【打印】【关闭】
 

  1月23日,国家重点研发计划“面向三维集成的阻变存储器纳米尺度效应研究”项目2017年度总结会在微电子所召开。专家组成员北京大学朱星教授、康晋锋教授,清华大学钱鹤教授,中科院微电子所刘明院士、上海微系统所宋志棠研究员、物理所韩秀峰研究员应邀到会指导。 

  会上,项目负责人、微电子所微电子重点实验室研究员吕杭炳汇报了项目总体研究情况。三家任务负责单位分别汇报了各自承担课题的研究进展及下一步工作计划。 

  项目咨询专家组充分肯定了项目执行一年以来的工作进展,认为项目及各课题的研究进展符合任务书的要求,取得了预期的成果。专家组还就研究内容、集成创新、合作交流、经费使用、项目管理等方面提出意见和建议。

 

与会专家合影

 

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