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“22-14纳米集成电路器件工艺先导技术”荣获2017年度国家技术发明二等奖
2018-01-08 | 编辑:科技处 杜佳 | 【 【打印】【关闭】
 

  国家科学技术奖励大会于2018年1月8日上午在北京人民大会堂隆重举行。微电子所与武汉新芯集成电路制造有限公司、复旦大学共同完成的“22-14纳米集成电路器件工艺先导技术”项目获得2017年国家技术发明二等奖。 

  “22-14纳米集成电路器件工艺先导技术”项目主要完成人为叶甜春、徐秋霞、陈大鹏、殷华湘、霍宗亮、张卫。项目以国家科技重大专项02专项支持为契机,针对核心器件微缩过程中的一系列关键性的短沟道效应和性能挑战,开展了自主创新研发,攻克了后高k金属栅、22纳米平面器件集成技术、14纳米三维FinFET关键技术等技术难关,创新发明多项关键技术,突破了纳米集成电路制造及国产装备配套工艺过程中的重要技术瓶颈。项目提出了“专利导向下的研发战略”,形成了成体系的自主知识产权和关键技术,在国内外产生广泛影响。在推广应用方面,成功完成向国内相关制造及装备企业的许可和转让,取得显著成效,有力提升了相关集成电路高端产品和先进装备的技术水平,对我国集成电路行业全面发展具有重要推动作用。

 

获奖证书

 

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