日前，中科院微电子所专用集成电路与系统研究室（二室）陈勇博士生在周玉梅研究员、黑勇研究员的带领及巨浩等模拟设计人员的协助下，借助电子系统总体技术研究室测试仪器，采用SMIC 0.18um CMOS混合信号工艺自主研制的6bit 1.2GHz单通道超高速ADC芯片取得进展。

　　测试结果表明，该款ADC芯片工作频率可以达到1.2GHz。在1.2GHz采样率下，输入信号频率1MHz有效位5.3bit，输入信号频率501MHz有效位4.2bit，实现了宽输入信号频率、高采样频率的工作状态，INL和DNL均小于0.6LSB，整体功耗小于270mW，在相关研究领域中处于领先地位。

　　传统的超高速ADC一般采用BiCMOS工艺或者更为优良的GaAs或SiGe工艺，达到超高速的同时带来了芯片成本的急剧上升。微电子研究所二室采用SiCMOS工艺的研究成果，为低成本、高集成化的通信应用提供了解决方案。　　

　　图1 超高速ADC芯片　　

　　图2 研究室测试环境